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Simulación ab initio del silicio amorfo poroso
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Simulación ab initio del silicio amorfo poroso

propiedades topolóticas, electrónicas y ópticas

Landa Loustau, Emilye Rosas

Editorial: Editorial Académica Española

Número de páginas: 162 págs.  22.0 cm  

Fecha de edición: 01-01-2012

EAN: 9783659003417

ISBN: 978-3-659-00341-7

Precio (sin IVA): 79,89 €

Precio (IVA incluído): 83,09 €

El objetivo de este proyecto es el de estudiar algunas de las propiedades del silicio amorfo poroso (ap-Si) mediante técnicas de la dinámica molecular ab initio. Entre las propiedades topológicas del ap-Si obtenidas se encuentran su función de distribución radial, el número de enlaces sueltos por celda de simulación, así como la separación entre los primeros vecinos de silicio. Por otra parte, la densidad de estados, brecha electrónica y energía de Fermi son las propiedades electrónicas que se reportan. Las propiedades ópticas calculadas son brecha óptica, coeficiente de absorción y espectro de emisión del material. Este trabajo es el primero en su tipo, pues reúne simulaciones de estructuras periódicas de silicio ap-Si que por el gran número de átomos que involucran, no se habían generado con anterioridad. Los resultados permiten obtener las propiedades del ap-Si, que a la fecha es difícil de fabricar en el laboratorio.

 

Características

Idioma:
Español
País de edición:
España
Encuadernación:
Rústica
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